美光科技:中国竞争对手踩油门踏板

美股(meigu) · 2020年07月02日 · 377 次阅读
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摘要 美光科技(Micron Technology)在2020年第三季度实现了可观的收益,在DRAM位出货量和NAND ASP增长方面均超过韩国竞争对手。

中国正在投入大量资金以使自己在半导体生产中能够自给自足。

中国的存储器公司正在建造更多的晶圆厂,并加快了建设进度,以最大程度地减少导入存储器芯片的需求。

中国的YMTC 128层3D-NAND产品现在仅比美光和韩国的SK海力​​士落后四分之二。

美光科技(MU)在市场收盘后于6月29日星期一公布了第三季度的收益结果。美光首席执行官Sanjay Mehrotra的指导意见尤其重要,他指出:

展望2020年下半年,让我讨论一些关键的市场趋势。首先,我们预计数据中心的前景将保持健康。其次,我们预计智能手机和消费者终端设备的销售将继续改善,从而加速整个供应链中的库存消耗。第三,新的游戏机将推动更强的DRAM和NAND需求。”

最新数据显示,MU 在DRAM位出货量和NAND ASP增长方面超过了韩国竞争对手三星电子(OTC:SSNLF)和SK Hynix(OTC:HXSCL)。但是,由于当前的政治形势和贸易壁垒,中国公司正在加速其计划,以使其在半导体制造领域变得自给自足。

存储设备,特别是DRAM和NAND,是中国本土芯片库中严重缺少的关键半导体组件之一。我在2016年11月16日讨论了中国人通过收购MU失败而进入存储器市场的尝试,该文章的标题为“ 清华紫光集团和美光科技:如果起初没有成功……”。

中国DRAM和NAND竞争对手的影响 中国一直在努力减少对制造半导体的外国公司的依赖。根据我们题为《中国大陆的半导体和设备市场:分析与制造趋势》的报告,中国在2019年进口了4451.3亿集成电路,同比增长6.6%; 进口额为3055.5亿美元,同比下降2.1%。集成电路出口2187亿美元,同比增长0.7%; 其中出口1015.8亿美元,同比增长20%。

图1显示了中国OEM厂商生产电子设备所需的半导体设备需求(蓝线)。供应(粉色线)是中国内部制造的芯片数量。两条线之间的差异是导入的芯片数。

图2显示了尽管中国存在贸易问题,但2019年半导体进口量增速不减,尽管有COVID-19,但2020年半导体进口量的增长速度甚至更快。

中国有两家制造内存芯片的公司:生产3D NAND的扬子存储技术(YMTC)和生产DRAM的ChangXin Memory Technologies(CXMT)(以前称为Innotron Memory)。我在2019年10月4日的Seeking Alpha文章中详细讨论了这些公司,其标题为``美光科技:2021年之前中国存储公司将无后顾之忧''。

图3显示了过去九个季度中每个工厂的加工设备进口情况。在此期间,每家公司购买了30亿美元的加工设备。

中国记忆工厂的趋势 CXMT-DRAM

CXMT的第一家晶圆厂基于已宣布的19nm技术计划,最多可设计12万个晶圆,最初的20k到30k wpm的产能已经推迟了一年多。生产于2019年底开始。如图4所示,CXMT计划在Fab 1附近增加两个晶圆厂。

YMTC-NAND

扬子存储技术在武汉的第一家工厂是一座单层建筑,每月产能为12万个晶圆。利用其在武汉的全资子公司XMC现有的12英寸IC晶圆厂,YMTC于2017年成功设计和制造了其首款32层3D NAND闪存芯片。2019年9月2日,YMTC宣布已将其64层投入生产。具有Xtacking架构的256Gb TLC 3D NAND闪存已投入量产。2020年4月13日,YMTC宣布其128层1.33Tb QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070通过与多个控制器合作伙伴的合作,通过了SSD平台上的样品验证。

现在,我已经通过消息了解到,YMTC的母公司清华紫光集团计划在武汉的第一家晶圆厂旁建造第二家YMTC晶圆厂。更重要的是,第二家晶圆厂的建设原定于2020年底开始,但进度已经加快。尽管清华紫光集团没有透露该工厂的年产能或将投资多少,但该公司可能正在考虑在十年内对其DRAM业务进行总计8000亿元人民币(1100亿美元)的投资。

重庆清华

清华紫光集团于8月27日宣布,已与重庆市政府签署协议,成立研发中心和用于生产DRAM的晶圆厂。该晶圆厂应在2022年完工,每月生产10万片晶圆。最初计划于去年开始建设,但是中美贸易战和COVID-19大流行使该项目推迟了。

GigaDevice半导体-DRAM

GigaDevice在2020年4月宣布,计划通过私募新股筹集至多43.2亿元人民币(6.11亿美元),以资助向DRAM的转移。除了自己的DRAM计划外,GigaDevice还是CXMT的投资者。

投资者外卖 在2019年10月4日的Seeking Alpha文章中,我题为“ 微米:到2021年中国存储公司将无后顾之忧”,我在CXMT和YMTC上介绍了DRAM生产的时间表。

在2019年,CXMT的DRAM落后领先的DRAM制造商至少两代。到2021年,CXMT的DRAM将比美光,三星和SK Hynix落后三代。

2018年,YMTC的32层NAND落后主要NAND制造商三代。但是,在该文章发表时(2019年10月4日),我注意到在2021年第三季度,“我看到128层开始生产,这比美光落后四分之三。” 但是现在,随着YMTC路线图的加速,该公司宣布在202年推出128层NAND,计划于2020年第四季度投入生产。这意味着YMTC的新NAND将仅比MU和SK Hynix落后四分之三,与Kioxia相当。 / Western Digital(WDC)112层NAND。

另一个问题是YMTC的第二个NAND晶圆厂的重新安排。就像我在上面说的那样,第二座晶圆厂的建设原定于2020年底开始,但时间表已经提前。

YMTC的这些NAND器件使用DUV浸没式光刻技术制造,因此不受ASML(ASML)的EUV光刻系统的任何贸易限制的影响。因此,这些高级YMTC 3-D NAND芯片的生产不会受到任何美国许可限制的影响。

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